近日，国际领先的新型存储器研发先锋燕芯微宣布完成近亿元天使轮融资，本轮融资由领航新界领投，燕缘创投、考拉基金、思瑞浦旗下芯阳基金、华宇科创投、佰维存储等知名机构共同战略投资。

燕芯微成立于2024年，由北京大学集成电路学院先进存储与智能计算实验室孵化，由国内先进存储领域最权威专家和行业顶尖学者领衔创立，基于北京大学多年ReRAM产学研积累，提出了「器件-阵列-芯片」成套ReRAM全自主知识产权关键技术，是国内新型存储器研发的先锋。

当前，燕芯微已在重庆两江协同创新区设立子公司，未来将和公司上海总部紧密配合，按目标按计划地完成研发团队的建设及产品设计，借力重庆在AIoT、智能制造、汽车电子领域的产业配套优势，并通过产学研协同、企业合作、政府支持，力争在 3-5 年内形成有一定影响力的存算芯片应用产品案例，助力重庆半导体产业升级。

完全自主知识产权的ReRAM技术体系，致力于解决存储芯片领域困境

存储芯片是电子数字设备用来存储的重要部件，其主要产品形态为DRAM存储芯片和Flash存储芯片。在当前系统级存储结构中，DRAM和SSD之间的性能差异成为制约计算机发展的关键因素，而eFlash进入工艺瓶颈，无法进一步微缩，使得在高性能SOC芯片中，28nm以下工艺则缺少成熟的嵌入式非易失存储器。

与传统存储相比，ReRAM则具备高存储密度、高速读写、低功耗和高可靠性等优点，可在28nm以下制程节点完全替代eFlash；同时填补DRAM与NAND之间的空白领域，开拓大容量、高密度存储市场；在端侧推理计算领域，能够深度契合大模型计算需求，解决AI芯片面临的能效低、内存墙等困境，在未来拥有巨大的潜在市场。

燕芯微基于北京大学多年ReRAM产学研积累，面向嵌入式存储、独立式存储、存算一体、特种应用等不同方向，成功构建了集成密度最高、性能处于业界领先水平且具有完全自主知识产权的全套ReRAM技术体系，技术路线已被国际认可。面对材料兼容性痛点，燕芯微自研后道兼容TAO PVD成膜关键技术，兼容现行BEOL工艺，无需设备改造，拥有高均一性。拥有自主知识产权的全新ReRAM器件结构设计不引入惰性金属，具备低压及高可靠优势；全新ReRAM阵列集成设计已打破同节点集成密度纪录。

一体化全栈研发能力，已在存储、存算芯片领域推出多款核心产品

燕芯微专注高密度存储芯片和存算AI芯片的产品研发，具备器件、工艺、阵列、电路、架构、算法一体的完善产品研发能力。

存储芯片方面，燕芯微专注核心技术研发，以IP授权形式推出的嵌入式ReRAM IP产品定位于解决40/28/22nm及以下先进逻辑工艺嵌入式NVM实际问题，与MCU、SoC和数模混合类产品进行片上集成，性能和密度远超eFlash，覆盖国内主流8寸/12寸标准CMOS工艺平台。

存算产品方面，燕芯微拥有存算一体Macro IP、存算一体加速芯片、面向大模型的存算一体异构加速卡等不同产品类别，基于ReRAM核心技术提供大算力端侧场景解决方案，消除存储墙，在不依赖海外工艺的前提下，依托国产工艺平台实现先进工艺节点产品算力指标。此外，基于ReRAM多核芯片的混合域多项式加速器也基于全自主知识产权关键技术，打破了同工艺节点阻变存储器集成密度记录，校准效果达到专业软件相同水平，已入选Chip 2023中国芯片科学十大进展、人工智能应用场景挑战赛全国总决赛一等奖。

世界一流的管理及研发团队，带领公司高速发展，获资本市场共识认可

燕芯微的管理团队与研发团队脱胎于北京大学集成电路学院，聚集了多位北大系世界一流顶尖人才，技术背景覆盖工艺制程、芯片设计、IP授权、公司运营和市场营销等领域。传承七十余载深厚研究积淀，具备覆盖集成电路研发全链条、以及国际一流水平的微纳加工与集成、器件、芯片与微系统设计及测试能力，从而在组织层面为公司产品持续迭代与稳步发展构筑了坚实保障。团队在存储器领域发表IEDM、VLSI、DAC、ICCAD、IEEE EDL、IEEE TED、IEEE TCAD等高水平学术论文百余篇，相关科研成果被连续列入国际半导体技术路线图。

在核心团队的带领下，燕芯微高速发展，目前已与十余家存储及AI芯片领域头部企业开展合作研发和产品对接，开启商业化加速进程。